Rus
En
Rus
En
Компонент САПР аналоговых интегральных схем
Модуль расчета паразитных компонентов топологии
Является ключевым элементом, от которого зависит качество проектируемых схем. Обеспечивает учет геометрии топологических структур полупроводникового кристалла и негативного влияния физически обусловленных эффектов
Модуль расчета паразитных компонентов топологии
Является ключевым элементом, от которого зависит качество проектируемых схем. Обеспечивает учет геометрии топологических структур полупроводникового кристалла и негативного влияния физически обусловленных эффектов
Разрабатывается кооперацией во главе с НПО «Критические информационные системы» Росатома
Преимущества нашего решения
  • Вычисление паразитных сопротивлений, емкостей, собственных и взаимных индуктивностей на основе геометрии разработанной топологии кристалла
  • Учет 2D и 3D профилей технологического стека проводящих и диэлектрических слоев
  • Алгоритмы приближенных вычислений на основе искусственного интеллекта для высокопроизводительных и быстрых расчетов номиналов паразитов
  • Повышенная точность расчетов номиналов компонентов при использовании встроенных высокоточных солверов
  • Функциональность адаптации САПР аналоговых интегральных схем и технологии производства микросхем для повышения точности проектирования и процента выхода годных изделий
  • Поддержка полупроводниковых технологий российских кремниевых фабрик
  • Визуализация технологического стека